SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
НОВА часть #:
312-2283060-SQM100P10-19L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQM100P10-19L_GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 93A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SQM100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 93A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 350 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14100 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SQM100P10-19L_GE3CT SQM100P10-19L_GE3-ND SQM100P10-19L_GE3TR SQM100P10-19L GE3 SQM100P10-19L_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUM110P08-11L-E3Vishay Siliconix
LMK00101SQE/NOPBTexas Instruments- SUM90P10-19L-E3Vishay Siliconix
- SQM40041EL_GE3Vishay Siliconix
SBAT54SLT1Gonsemi
A768MS107M1JLAE027KEMET
BSS123,215Nexperia USA Inc.- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
SN6501QDBVRQ1Texas Instruments- SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
SUM70101EL-GE3Vishay Siliconix- SQM120P04-04L_GE3Vishay Siliconix
