SQM40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
НОВА часть #:
312-2288536-SQM40P10-40L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQM40P10-40L_GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SQM40 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 134 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5295 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | SQM40P10-40L_GE3DKR SQM40P10-40L_GE3CT SQM40P10-40L_GE3TR SQM40P10-40L_GE3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF9540NSTRLPBFInfineon Technologies- AUIRF5210STRLInfineon Technologies
SQM40N10-30_GE3Vishay Siliconix
IXTA96P085T-TRLIXYS
SUD50P10-43L-GE3Vishay Siliconix- NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
RSJ250P10FRATLRohm Semiconductor- SQM50P08-25L_GE3Vishay Siliconix
- SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
- SUM110P04-05-E3Vishay Siliconix
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LTC4417CGN#PBFAnalog Devices Inc.
