SQJ123ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
НОВА часть #:
312-2273039-SQJ123ELP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ123ELP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 238A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 180 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11680 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQJ123ELP-T1_GE3CT 742-SQJ123ELP-T1_GE3TR 742-SQJ123ELP-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
SQJ407EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJ411EP-T1_GE3Vishay Siliconix
IPB80P04P4L04ATMA2Infineon Technologies
SQJ126EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay Siliconix
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor- NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay Siliconix
SQD40031EL_GE3Vishay Siliconix
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IXTT90P10PIXYS