SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
НОВА часть #:
312-2283336-SUM70101EL-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUM70101EL-GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SUM70101 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7000 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SUM70101EL-GE3DKR SUM70101EL-GE3TR SUM70101EL-GE3CT SUM70101EL-GE3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
IXTA96P085T-TRLIXYS
IPT012N08N5ATMA1Infineon Technologies
SUM90P10-19L-E3Vishay Siliconix
ZXMN10B08E6TADiodes Incorporated
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies- SQM50P08-25L_GE3Vishay Siliconix
RSJ250P10FRATLRohm Semiconductor- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
1N6480-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SIS472DN-T1-GE3Vishay Siliconix
BQ34Z100PWRTexas Instruments
INA240A1DTexas Instruments
MC74VHC1G09DTT1Gonsemi
