RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
НОВА часть #:
312-2291110-RD3L08BGNTL
Производитель:
Номер детали производителя:
RD3L08BGNTL
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | RD3L08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3620 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 119W (Tc) | |
| Другие имена | RD3L08BGNTLDKR RD3L08BGNTLTR RD3L08BGNTLCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RD3P08BBDTLRohm Semiconductor
FDD86369onsemi
SQD50N06-09L_GE3Vishay Siliconix
NP60N055VUK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
TSM120N06LCP ROGTaiwan Semiconductor Corporation- TK90S06N1L,LQToshiba Semiconductor and Storage
STD110N8F6STMicroelectronics
SQD50034EL_GE3Vishay Siliconix- SQD97N06-6M3L_GE3Vishay Siliconix
TK4R4P06PL,RQToshiba Semiconductor and Storage
