TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
НОВА часть #:
312-2287703-TK4R4P06PL,RQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK4R4P06PL,RQ
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | TK4R4P06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 58A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3280 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 87W (Tc) | |
| Другие имена | TK4R4P06PLRQ(S2 TK4R4P06PLRQ TK4R4P06PL,RQTR TK4R4P06PLRQCT TK4R4P06PLRQDKR TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PLRQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and Storage
RD3L08BGNTLRohm Semiconductor