RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
НОВА часть #:
312-2288547-RD3P08BBDTL
Производитель:
Номер детали производителя:
RD3P08BBDTL
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 80A (Ta) 119W (Ta) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | RD3P08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1940 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 119W (Ta) | |
| Другие имена | RD3P08BBDTLTR RD3P08BBDTLDKR RD3P08BBDTLCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RD3P200SNTL1Rohm Semiconductor
STD80N10F7STMicroelectronics- RD3P200SNFRATLRohm Semiconductor
- RD3L08BGNTLRohm Semiconductor
IPD082N10N3GATMA1Infineon Technologies
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and Storage
