TSM120N06LCP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
НОВА часть #:
312-2280971-TSM120N06LCP ROG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM120N06LCP ROG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252, (D-Pak) | |
| Базовый номер продукта | TSM120 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 70A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2118 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | TSM120N06LCP ROGTR TSM120N06LCP ROGCT-ND TSM120N06LCP ROGTR-ND TSM120N06LCPROGTR TSM120N06LCP ROGCT TSM120N06LCPROGDKR TSM120N06LCP ROGDKR-ND TSM120N06LCPROGCT TSM120N06LCP ROGDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD86369onsemi
SQD50N06-09L_GE3Vishay Siliconix- FDD86540onsemi
NP60N06VDK-E1-AYRenesas Electronics America Inc- SUD50N06-09L-E3Vishay Siliconix
STN3NF06LSTMicroelectronics
IPD30N06S215ATMA2Infineon Technologies
SQD97N06-6M3L_GE3Vishay Siliconix
RD3L08BGNTLRohm Semiconductor
TSM170N06CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation
FDD5353onsemi
NTD5865NLT4Gonsemi
STD12NF06T4STMicroelectronics
