NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
НОВА часть #:
312-2278184-NP60N055VUK-E1-AY
Производитель:
Номер детали производителя:
NP60N055VUK-E1-AY
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 60A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | NP60N055 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 253µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3750 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) | |
| Другие имена | 559-NP60N055VUK-E1-AYDKR NP60N055VUK-E1-AY-ND 559-NP60N055VUK-E1-AYTR -1161-NP60N055VUK-E1-AYCT 559-NP60N055VUK-E1-AYCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
RD3L08BGNTLRohm Semiconductor
STD65N55F3STMicroelectronics
