BSP171PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
НОВА часть #:
312-2282465-BSP171PH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSP171PH6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | BSP171 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.9A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 460µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 460 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | BSP171PH6327XTSA1CT IFEINFBSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1TR SP001058824 BSP171PH6327XTSA1DKR 2156-BSP171PH6327XTSA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSP170PH6327XTSA1Infineon Technologies
NDT2955onsemi- BSP149H6327XTSA1Infineon Technologies
BSC070N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSL215CH6327XTSA1Infineon Technologies
BSC067N06LS3GATMA1Infineon Technologies- BSP297H6327XTSA1Infineon Technologies
BSS138LT1Gonsemi
TP0610K-T1-GE3Vishay Siliconix- BSP316PH6327XTSA1Infineon Technologies
- BSC093N04LSGATMA1Infineon Technologies
- NVF2955T1Gonsemi
