BSC067N06LS3GATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-5
Базовый номер продукта	BSC067
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	15A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5100 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Другие имена	SP000451084 BSC067N06LS3 G BSC067N06LS3 GINTR BSC067N06LS3 GINTR-ND BSC067N06LS3 GINDKR BSC067N06LS3G BSC067N06LS3GATMA1TR BSC067N06LS3 GINCT BSC067N06LS3GATMA1DKR BSC067N06LS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC067N06LS3 G-ND BSC067N06LS3 GINCT-ND BSC067N06LS3GATMA1CT BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC067N06LS3 GINDKR-ND