BSC093N04LSGATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-5
Базовый номер продукта	BSC093
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Ta), 49A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 14µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1900 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 35W (Tc)
Другие имена	BSC093N04LS G SP000387929 BSC093N04LSGATMA1DKR BSC093N04LS GCT-ND BSC093N04LS GDKR BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC093N04LS GTR-ND BSC093N04LSGATMA1CT BSC093N04LS GTR BSC093N04LS GDKR-ND BSC093N04LS G-ND BSC093N04LS GCT BSC093N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC093N04LSGATMA1TR BSC093N04LSG