BSP297H6327XTSA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Базовый номер продукта	BSP297
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	660mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.8V @ 400µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	16.1 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	357 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta)
Другие имена	SP001058622 BSP297H6327XTSA1DKR BSP297H6327XTSA1CT BSP297H6327XTSA1TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!