NVF2955T1G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

НОВА часть #:

312-2287970-NVF2955T1G

Производитель:

Номер детали производителя:

NVF2955T1G

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223 (TO-261)
Базовый номер продукта	NVF2955
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	14.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	492 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1W (Ta)
Другие имена	NVF2955T1GOSDKR-ND 488-NVF2955T1GDKR NVF2955T1GOSCT-ND 488-NVF2955T1GTR NVF2955T1G-ND NVF2955T1GOSTR-ND NVF2955T1GOSCT 488-NVF2955T1GCT NVF2955T1GOSTR NVF2955T1GOSDKR 2156-NVF2955T1G-OS ONSONSNVF2955T1G