BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
НОВА часть #:
312-2281368-BSP149H6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSP149H6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | BSP149 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 660mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 400µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 14 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 430 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | SP001058818 BSP149H6327XTSA1CT BSP149H6327XTSA1DKR BSP149H6327XTSA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
T530D227M010AHE006KEMET
BSP129H6327XTSA1Infineon Technologies- BSP149H6906XTSA1Infineon Technologies
- BSP171PH6327XTSA1Infineon Technologies
BSS139H6327XTSA1Infineon Technologies
STPS8H100DEE-TRSTMicroelectronics- BSS159NH6327XTSA2Infineon Technologies
MAX14777GTP+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated- STPS8170DEE-TRSTMicroelectronics
DDZ9694T-7Diodes Incorporated
TLV431AH6TADiodes Incorporated- BSP322PH6327XTSA1Infineon Technologies
BSS169H6906XTSA1Infineon Technologies
