SI3437DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2285412-SI3437DV-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3437DV-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3437 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 510 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | |
| Другие имена | SI3437DV-T1-GE3DKR SI3437DV-T1-GE3CT SI3437DVT1GE3 SI3437DV-T1-GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,39780 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS84PH6327XTSA2Infineon Technologies
SS10100FL-AU_R1_000A1Panjit International Inc.
V20202C-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes Division
UCC27519DBVRTexas Instruments
SUD50P10-43L-GE3Vishay Siliconix
SI3437DV-T1-E3Vishay Siliconix- SI3440DV-T1-E3Vishay Siliconix
V8PM15HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
RSQ015P10TRRohm Semiconductor- SUD90330E-GE3Vishay Siliconix
NTMFS006N12MCT1Gonsemi- NTMFS5C670NLT3Gonsemi
BAT54S,215Nexperia USA Inc.
