NTMFS006N12MCT1G
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
НОВА часть #:
312-2279494-NTMFS006N12MCT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS006N12MCT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15A (Ta), 93A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 46A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 260µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 120 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3365 pF @ 60 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTMFS006N12MCT1GTR 488-NTMFS006N12MCT1GDKR 488-NTMFS006N12MCT1GCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
VS-30CTH03-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division- V20202C-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4148WSDiotec Semiconductor
SN74AHC1G09DCKRTexas Instruments
1N4148WTDiotec Semiconductor
DMPH6023SK3-13Diodes Incorporated
BSC077N12NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMS86202ET120onsemi
DMT12H007LPS-13Diodes Incorporated
BSC0302LSATMA1Infineon Technologies
SUD90330E-GE3Vishay Siliconix- FDMS86202onsemi
NTMFS5C670NLT3Gonsemi