RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
НОВА часть #:
312-2301408-RSQ015P10TR
Производитель:
Номер детали производителя:
RSQ015P10TR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSMT6 (SC-95) | |
| Базовый номер продукта | RSQ015 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 950 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 600mW (Ta) | |
| Другие имена | RSQ015P10TRCT-ND RSQ015P10MGTR RSQ015P10TRDKR RSQ015P10CT RSQ015P10TRDKR-ND RSQ015P10TRCT RSQ015P10DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NX7002BKWXNexperia USA Inc.
ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated- BSS123TADiodes Incorporated
SI3437DV-T1-GE3Vishay Siliconix
RQ6L020SPTCRRohm Semiconductor
NCV5661MN33T2Gonsemi- ZXMP10A13FTADiodes Incorporated
- RSQ015P10HZGTRRohm Semiconductor
FDC3535onsemi
BSO613SPVGXUMA1Infineon Technologies
