SI3437DV-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2282207-SI3437DV-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3437DV-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3437 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 510 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | |
| Другие имена | SI3437DV-T1-E3DKR SI3437DV-T1-E3CT SI3437DV-T1-E3TR SI3437DVT1E3 |
In stock Нужно больше?
0,60940 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
INA180A2IDBVRTexas Instruments
74AUP1T17GWHNexperia USA Inc.
SI1308EDL-T1-GE3Vishay Siliconix
SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
FDN86246onsemi
SML-D12U1WT86Rohm Semiconductor
SN74AUP1G08DCKTTexas Instruments
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
NTMTSC002N10MCTXGonsemi
SI3437DV-T1-GE3Vishay Siliconix- BSS123NH6327XTSA1Infineon Technologies
- LMV301MG/NOPBTexas Instruments
