SUD90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
НОВА часть #:
312-2287889-SUD90330E-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD90330E-GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SUD90330 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37.5mOhm @ 12.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1172 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | SUD90330E-GE3DKR SUD90330E-GE3TR SUD90330E-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUD80460E-GE3Vishay Siliconix
V20202C-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes Division
UCC27519DBVRTexas Instruments
STD20NF20STMicroelectronics
IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies- IPD600N25N3GATMA1Infineon Technologies
SI3437DV-T1-GE3Vishay Siliconix
IXFY36N20X3IXYS
MMBZ5245BLT1Gonsemi
NTMFS006N12MCT1Gonsemi- IXFY26N30X3IXYS
BAT54S,215Nexperia USA Inc.
