NTMFS5C670NLT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
НОВА часть #:
312-2287777-NTMFS5C670NLT3G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS5C670NLT3G
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) 3.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NTMFS5 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Ta), 71A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 61W (Tc) | |
| Другие имена | NTMFS5C670NLT3GOSTR NTMFS5C670NLT3GOSDKR NTMFS5C670NLT3GOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- V20202C-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes Division
- NTMFS5C670NLT1Gonsemi
- ACPL-C870-000EBroadcom Limited
- UCC27519DBVRTexas Instruments
- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- SI3437DV-T1-GE3Vishay Siliconix
- SUD90330E-GE3Vishay Siliconix
- MMBZ5245BLT1Gonsemi
- NTMFS006N12MCT1Gonsemi
- MCP65R41T-2402E/CHYMicrochip Technology
- KMT221G HF LFSC&K
- BAT54S,215Nexperia USA Inc.










