STH260N6F6-2
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
НОВА часть #:
312-2273266-STH260N6F6-2
Производитель:
Номер детали производителя:
STH260N6F6-2
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2Pak-2 | |
| Базовый номер продукта | STH260 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 183 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | STH260N6F62 497-11217-6-ND 497-STH260N6F6-2CT -1138-STH260N6F6-2TR 497-11217-1-ND 497-11217-2-ND 497-STH260N6F6-2DKR -1138-STH260N6F6-2DKR -1138-STH260N6F6-2CT 497-11217-6 497-11217-1 497-11217-2 497-STH260N6F6-2TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STH275N8F7-2AGSTMicroelectronics
IRLS3036TRLPBFInfineon Technologies
FDB024N06onsemi- IRFS7530TRLPBFInfineon Technologies
RQ3E100ATTBRohm Semiconductor
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.- BUK7Y1R7-40HXNexperia USA Inc.
- PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.
MM3Z10VConsemi
BAS40-04T-7-FDiodes Incorporated- BUK962R8-60E,118Nexperia USA Inc.