PSMN1R8-40YLC,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2282859-PSMN1R8-40YLC,115
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN1R8-40YLC,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN1R8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.95V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6680 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 272W (Tc) | |
| Другие имена | 934066914115 568-10156-6-ND 568-10156-1 PSMN1R840YLC115 568-10156-1-ND 1727-1052-6 568-10156-2 1727-1052-1 1727-1052-2 568-10156-2-ND PSMN1R8-40YLC,115-ND 568-10156-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.
TLE7250GVIOXUMA2Infineon Technologies
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.
USB3340-EZKMicrochip Technology- PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.
USB2514BT-I/M2Microchip Technology
AT24CM02-SSHM-TMicrochip Technology
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies
NVTFS5116PLTAGonsemi
L6470HTRSTMicroelectronics
