FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
НОВА часть #:
312-2273019-FDB024N06
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB024N06
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | FDB024 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 226 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14885 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 395W (Tc) | |
| Другие имена | FDB024N06DKR FDB024N06TR FDB024N06CT 2156-FDB024N06-OS FAIFSCFDB024N06 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRLS3036TRLPBFInfineon Technologies
IRF6668TRPBFInfineon Technologies
STH260N6F6-2STMicroelectronics
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.
SQM50020EL_GE3Vishay Siliconix
BZD27C22P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division- BUK962R5-60E,118Nexperia USA Inc.