RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
НОВА часть #:
312-2287789-RQ3E100ATTB
Производитель:
Номер детали производителя:
RQ3E100ATTB
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Базовый номер продукта | RQ3E100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta), 31A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1900 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) | |
| Другие имена | RQ3E100ATTBDKR RQ3E100ATTBCT RQ3E100ATTBTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
LAN7800-I/VSXMicrochip Technology
74LVC1G07SE-7Diodes Incorporated
STH260N6F6-2STMicroelectronics
TPS3850G33DRCTTexas Instruments
RQ3E100BNTBRohm Semiconductor
CUS520,H3FToshiba Semiconductor and Storage- RQ3E120ATTBRohm Semiconductor
AP22653AW6-7Diodes Incorporated
MCP7940N-E/MSMicrochip Technology
MM3Z10VConsemi
