IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
НОВА часть #:
312-2283063-IRFS7530TRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFS7530TRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263AB) | |
| Базовый номер продукта | IRFS7530 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 195A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.7V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 411 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13703 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | IRFS7530TRLPBFTR IRFS7530TRLPBFCT IRFS7530TRLPBF-ND SP001567992 IRFS7530TRLPBFDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STH260N6F6-2STMicroelectronics
IRFS7730TRL7PPInfineon Technologies