DMG4800LK3-13
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
НОВА часть #:
312-2264947-DMG4800LK3-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMG4800LK3-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | DMG4800 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 798 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.71W (Ta) | |
| Другие имена | DMG4800LK313 DMG4800LK3-13DIDKR DMG4800LK3-13DICT DMG4800LK3-13DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMG4466SSS-13Diodes Incorporated
DMN3024LK3-13Diodes Incorporated
FDD6630Aonsemi
AOD442GAlpha & Omega Semiconductor Inc.
DMN3032LE-13Diodes Incorporated
TSM090N03ECP ROGTaiwan Semiconductor Corporation- AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- DMP3007LK3-13Diodes Incorporated
DMN3030LSS-13Diodes Incorporated- DMG4468LK3-13Diodes Incorporated
- DMN10H220LK3-13Diodes Incorporated
