TSM090N03ECP ROG
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
НОВА часть #:
312-2264204-TSM090N03ECP ROG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM090N03ECP ROG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252, (D-Pak) | |
| Базовый номер продукта | TSM090 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 680 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 40W (Tc) | |
| Другие имена | TSM090N03ECP ROGTR TSM090N03ECP ROGTR-ND TSM090N03ECPROGTR TSM090N03ECP ROGDKR TSM090N03ECP ROGDKR-ND TSM090N03ECP ROGCT TSM090N03ECP ROGCT-ND TSM090N03ECPROGCT TSM090N03ECPROGDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- DMG4800LK3-13Diodes Incorporated
- TSM060N03CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation



