DMN3032LE-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

НОВА часть #:

312-2263476-DMN3032LE-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMN3032LE-13

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-3
Базовый номер продукта	DMN3032
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	498 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta)
Другие имена	DMN3032LE-13DITR DMN3032LE-13DICT DMN3032LE-13DIDKR