DMG4468LK3-13
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
НОВА часть #:
312-2292208-DMG4468LK3-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMG4468LK3-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 9.7A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | DMG4468 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.95V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18.85 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 867 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.68W (Ta) | |
| Другие имена | DMG4468LK3-13DITR -DMG4468LK3-13DITR -DMG4468LK3-13DICT DMG4468LK3-13DIDKR DMG4468LK313 -DMG4468LK3-13DIDKR DMG4468LK3-13DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN3024LK3-13Diodes Incorporated
FDN340Ponsemi- DMG4800LK3-13Diodes Incorporated