DMN3030LSS-13
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
НОВА часть #:
312-2274297-DMN3030LSS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN3030LSS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | DMN3030 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 741 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) | |
| Другие имена | DMN3030LSS-13DIDKR -DMN3030LSS-13DIDKR DMN3030LSS-13DITR DMN3030LSS-13-ND DMN3030LSS-13DICT -DMN3030LSS-13DICT -DMN3030LSS-13DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS6612Aonsemi
TPS25750SRSMRTexas Instruments
DMG4800LK3-13Diodes Incorporated
SI4178DY-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-C170KGKTLite-On Inc.
M24256-DRDW8TP/KSTMicroelectronics
DMN4800LSS-13Diodes Incorporated
YC164-FR-072K2LYAGEO
UA78M33CKVURG3Texas Instruments
