GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
НОВА часть #:
312-2276615-GAN041-650WSBQ
Производитель:
Номер детали производителя:
GAN041-650WSBQ
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 47.2A 187W Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 47.2A | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1500 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 187W | |
| Другие имена | 1727-GAN041-650WSBQ 934661752127 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
EPC2065EPC
EPC2207EPC
EPC2036EPC
TP65H015G5WSTransphorm
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.- TP65H035G4WSTransphorm
TP65H480G4JSG-TRTransphorm
UF3C065030K3SUnitedSiC- IXA60IF1200NAIXYS
TPH3205WSBQATransphorm
TP90H050WSTransphorm
TP65H035WSTransphorm
IGT60R070D1ATMA1Infineon Technologies
