TP65H035G4WS

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

НОВА часть #:

312-2263594-TP65H035G4WS

Производитель:

Номер детали производителя:

TP65H035G4WS

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Transphorm
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Базовый номер продукта	TP65H035
Технологии	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	46.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	22 nC @ 0 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1500 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	156W (Tc)
Другие имена	1707-TP65H035G4WS