IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
НОВА часть #:
312-2361358-IXTA1N200P3HV
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTA1N200P3HV
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263AA | |
| Базовый номер продукта | IXTA1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Polar P3™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 2000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 646 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTA1N170DHVIXYS
STH3N150-2STMicroelectronics
IXTT1N250HVIXYS
IXTH02N250IXYS
PJA138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.
IXTA4N150HVIXYS- IXTA02N250HVIXYS
G2R1000MT33JGeneSiC Semiconductor- IXTH1N200P3IXYS
SCT2750NYTBRohm Semiconductor- SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
IXTT02N450HVIXYS
2SK4177-DL-1Eonsemi
