SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
НОВА часть #:
312-2263409-SCT2750NYTB
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT2750NYTB
Стандартный пакет:
400
Технический паспорт:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-268 | |
| Базовый номер продукта | SCT2750 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 975mOhm @ 1.7A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 630µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| VGS (макс.) | +22V, -6V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 275 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 57W (Tc) | |
| Другие имена | SCT2750NYTBDKR SCT2750NYTBTR SCT2750NYTBCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
G2R1000MT17JGeneSiC Semiconductor
IXTA1N200P3HVIXYS
FQD2N100TMonsemi
MSC750SMA170SMicrochip Technology
SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon Technologies- G3R160MT17JGeneSiC Semiconductor
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and Storage- G3R450MT17JGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.
C2M1000170JWolfspeed, Inc.