IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
НОВА часть #:
312-2276623-IXTA1N170DHV
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTA1N170DHV
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 1700 V 1A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount TO-263HV
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263HV | |
| Базовый номер продукта | IXTA1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Depletion | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 47 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3090 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 290W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTA1N200P3HVIXYS
SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
IXTT2N170D2IXYS- IXTA08N100D2IXYS
- IXTA1R6N100D2IXYS