2SK4177-DL-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
НОВА часть #:
312-2305420-2SK4177-DL-1E
Производитель:
Номер детали производителя:
2SK4177-DL-1E
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-2 | |
| Базовый номер продукта | 2SK4177 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 380 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 80W (Tc) | |
| Другие имена | 2SK4177-DL-1E-ND 2SK4177-DL-1EOSTR ONSONS2SK4177-DL-1E 2156-2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1EOSDKR 2SK4177-DL-1EOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NVBG080N120SC1onsemi
- SBAS40-04LT1Gonsemi
- STH3N150-2STMicroelectronics
- IXTA1N200P3HVIXYS
- BSS138PS,115Nexperia USA Inc.
- IXTA4N150HVIXYS
- SBAV99LT1Gonsemi
- CLVC1G125QDBVRQ1Texas Instruments
- TPS1H000AQDGNRQ1Texas Instruments








