BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
НОВА часть #:
312-2282785-BSC520N15NS3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC520N15NS3GATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-5 | |
| Базовый номер продукта | BSC520 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 21A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 35µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 890 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 57W (Tc) | |
| Другие имена | SP000521716 BSC520N15NS3 GCT-ND BSC520N15NS3GATMA1TR BSC520N15NS3 GCT BSC520N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC520N15NS3GATMA1CT BSC520N15NS3 GDKR-ND BSC520N15NS3 GDKR BSC520N15NS3G BSC520N15NS3 G-ND BSC520N15NS3 G BSC520N15NS3 GTR-ND BSC520N15NS3GATMA1DKR BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC520N15NS3 GTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
UDZVTE-1715BRohm Semiconductor
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMS86252onsemi- BSC360N15NS3GATMA1Infineon Technologies
SIR158DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix- BSC093N15NS5ATMA1Infineon Technologies
AO3421EAlpha & Omega Semiconductor Inc.