BSC190N15NS3GATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC190
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2420 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Другие имена	BSC190N15NS3GATMA1TR BSC190N15NS3G BSC190N15NS3 GCT BSC190N15NS3GATMA1DKR BSC190N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND SP000416636 BSC190N15NS3 G-ND BSC190N15NS3 GDKR BSC190N15NS3 G BSC190N15NS3GATMA1CT BSC190N15NS3 GDKR-ND BSC190N15NS3 GCT-ND BSC190N15NS3 GTR BSC190N15NS3 GTR-ND BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND