SIR158DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2273424-SIR158DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR158DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR158 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4980 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) | |
| Другие имена | SIR158DP-T1-GE3DKR SIR158DPT1GE3 SIR158DP-T1-GE3TR SIR158DP-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4134DY-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC520N15NS3GATMA1Infineon Technologies
SIA517DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
RS1E350GNTBRohm Semiconductor
SIR158DP-T1-RE3Vishay Siliconix- RS1E280BNTBRohm Semiconductor
TPS259470ARPWRTexas Instruments
TLV75525PDBVRTexas Instruments
SSM3J332R,LFToshiba Semiconductor and Storage
SIC780CD-T1-GE3Vishay Siliconix
