BSC160N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
НОВА часть #:
312-2283006-BSC160N15NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC160N15NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 56A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC160 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 56A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.6V @ 60µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23.1 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1820 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) | |
| Другие имена | BSC160N15NS5ATMA1CT BSC160N15NS5ATMA1-ND BSC160N15NS5ATMA1TR BSC160N15NS5ATMA1DKR SP001181422 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LMP7300MM/NOPBTexas Instruments
BSC110N15NS5ATMA1Infineon Technologies
NTMFS015N15MConsemi
BSC190N15NS3GATMA1Infineon Technologies
AON6250Alpha & Omega Semiconductor Inc.- BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
MMSZ5246B-7-FDiodes Incorporated- BSC093N15NS5ATMA1Infineon Technologies
SI2325DS-T1-E3Vishay Siliconix
BSS84W-7-FDiodes Incorporated
FMMT6517TADiodes Incorporated
