BSC360N15NS3GATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC360
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 45µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1190 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	74W (Tc)
Другие имена	SP000778134 BSC360N15NS3 GCT-ND BSC360N15NS3GXT BSC360N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC360N15NS3 GTR-ND BSC360N15NS3GATMA1CT BSC360N15NS3GATMA1DKR BSC360N15NS3 G BSC360N15NS3G BSC360N15NS3 GDKR-ND BSC360N15NS3 GCT BSC360N15NS3 GDKR BSC360N15NS3GATMA1TR BSC360N15NS3 G-ND BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND