BSC040N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
НОВА часть #:
312-2283312-BSC040N10NS5SCATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC040N10NS5SCATMA1
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 140A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-WSON-8-2 | |
| Базовый номер продукта | BSC040 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 140A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 95µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5300 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC040N10NS5SCATMA1DKR 448-BSC040N10NS5SCATMA1TR 448-BSC040N10NS5SCATMA1CT SP005348851 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon Technologies
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon Technologies
DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated- BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SIR626DP-T1-RE3Vishay Siliconix- DMNH6012SPSQ-13Diodes Incorporated
BSZ0703LSATMA1Infineon Technologies
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix- BSC040N10NS5ATMA1Infineon Technologies
IAUC90N10S5N062ATMA1Infineon Technologies
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix- IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies