IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
НОВА часть #:
312-2306652-IAUC90N10S5N062ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IAUC90N10S5N062ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-34 | |
| Базовый номер продукта | IAUC90 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™-5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 59µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3275 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 115W (Tc) | |
| Другие имена | SP001468520 448-IAUC90N10S5N062ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IPD90N10S4L06ATMA1Infineon Technologies
- IAUC70N08S5N074ATMA1Infineon Technologies
- FDWS86068-F085onsemi
- IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
- BSC040N10NS5SCATMA1Infineon Technologies






