SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2280906-SIR626DP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR626DP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR626 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 78 nC @ 7.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5130 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 104W (Tc) | |
| Другие имена | SIR626DP-T1-RE3DKR SIR626DP-T1-RE3TR SIR626DP-T1-RE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS84PH6433XTMA1Infineon Technologies
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
SDM03U40-7Diodes Incorporated
DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated
SIR180DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIJ478DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
DRV83053PHPTexas Instruments- SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
