BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
НОВА часть #:
312-2282797-BSZ075N08NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ075N08NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 | |
| Базовый номер продукта | BSZ075 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 36µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2080 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 69W (Tc) | |
| Другие имена | BSZ075N08NS5ATMA1-ND BSZ075N08NS5ATMA1TR SP001132454 BSZ075N08NS5ATMA1CT BSZ075N08NS5ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated
BSZ0703LSATMA1Infineon Technologies
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon Technologies
74HC123PW,118Nexperia USA Inc.
SN74LV1T34DCKRTexas Instruments
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon Technologies- BSZ110N08NS5ATMA1Infineon Technologies
TPS92692PWPRTexas Instruments
