DMNH6012SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
НОВА часть #:
312-2273068-DMNH6012SPSQ-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMNH6012SPSQ-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 | |
| Базовый номер продукта | DMNH6012 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 35.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1926 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) | |
| Другие имена | DMNH6012SPSQ-13DICT DMNH6012SPSQ-13DITR DMNH6012SPSQ-13-ND DMNH6012SPSQ-13DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated
SIR626DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NVMFS5C673NLWFAFT1Gonsemi
BSC066N06NSATMA1Infineon Technologies
SIJ478DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ0703LSATMA1Infineon Technologies
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage- SQJA80EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
IRF7509TRPBFInfineon Technologies
RS1G150MNTBRohm Semiconductor
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
CSD18537NQ5ATexas Instruments