FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
НОВА часть #:
312-2281826-FDD86367
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD86367
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252) | |
| Базовый номер продукта | FDD863 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4840 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Tj) | |
| Другие имена | FDD86367-ND FDD86367OSCT FDD86367OSDKR FDD86367OSTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD86369onsemi- FDD86367-F085onsemi
