DMN31D5UFZ-7B
MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2264635-DMN31D5UFZ-7B
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN31D5UFZ-7B
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN0606-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN31 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 220mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.35 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 22.2 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 393mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN31D5UFZ-7BDICT DMN31D5UFZ-7BDIDKR DMN31D5UFZ-7BDITR |
In stock Нужно больше?
0,14240 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP32D9UFZ-7BDiodes Incorporated
NTNS3190NZT5Gonsemi
CSD25484F4TTexas Instruments
PMH550UNEHNexperia USA Inc.
AO4805Alpha & Omega Semiconductor Inc.- DMN2990UFZ-7BDiodes Incorporated
- NTNS3193NZT5Gonsemi
- CSD17484F4TTexas Instruments
DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated
FDD86102LZonsemi
TXU0304BQARTexas Instruments
IX4427MTRIXYS Integrated Circuits Division
