DMN2990UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2264791-DMN2990UFZ-7B
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2990UFZ-7B
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN0606-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN2990 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 250mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 55.2 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 320mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN2990UFZ-7BDIDKR DMN2990UFZ-7BDICT DMN2990UFZ-7BDITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTNS0K8N021ZTCGonsemi
NTNS3190NZT5Gonsemi
DMP210DUFB4-7Diodes Incorporated
SML-LX0402SUGC-TRLumex Opto/Components Inc.
DMN31D5UFZ-7BDiodes Incorporated- NTNS3193NZT5Gonsemi
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and Storage- DMP22D4UFA-7BDiodes Incorporated
- DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated
RV3C002UNT2CLRohm Semiconductor
EVQ-PLMA15Panasonic Electronic Components
